Данная маломощная память построена на продвинутом 10-нм техпроцессе и создана для мобильных устройств.
Компания Самсунг представила новейшую микросхему памяти типа LPDDR4 на 8 ГБ. Он подчеркнул, что компания продолжает предоставлять передовые решения для памяти, которые помогут удовлетворить растущие нужды устройств с двойной камерой, 4K UHD и функциями виртуальной реальности.
Новые микросхемы не только лишь емкие, однако и быстрые. Скорость работы памяти 8GB LPDDR4 DRAM доходит 4 266 Мбит/с, что в два раза выше, чем у чипов DDR4 DRAM для персональных компьютеров, как правило, работающих со скоростями 2 133 Мбит/с на контакт. С учетом того, что ширина шины равна 64 разрядам, получается пропускная способность не менее 34 ГБ/с. Предлагая вдвое больше объема они потребляют ровно столько же энергии, как микросхемы объемом 4 ГБ, изготавливаемые по технологии 20-нанометрового класса.
Создатели информируют о будущем появлении обновленного поколения флагманских мобильных устройств благодаря 8 Гб DRAM. И еще один важный момент: модуль владеет размерами всего 15х15х1 миллиметр, и его можно размещать прямо над встроенной памятью, что даст возможность значительно сэкономить место на печатной плате и отдать его под какие-то новые компоненты.
В перспективе фирма планирует быстро нарастить объемы производства микросхем DRAM, издаваемых по технологии 10-нанометрового класса.
Комментировать